| 双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析 |
| |
| 引用本文： | 段利华,方亮,周勇,周雪梅,韩伟峰,罗庆春,黄茂.双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析[J].半导体光电,2012,33(3):342-345. |
| |
| 作者姓名： | 段利华 方亮 周勇 周雪梅 韩伟峰 罗庆春 黄茂 |
| |
| 作者单位： | 重庆大学物理学院应用物理系,重庆400044 重庆光电技术研究所,重庆400060;重庆大学物理学院应用物理系,重庆,400044;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
| |
| 摘 要： | 对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结（DCPBH）结构超辐射发光二极管（SLD）双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DCPBH结构。
|
| 关 键 词： | 双沟平面掩埋异质结 液相外延 漏电流 |
Analysis on Current Leakage in DCPBH-SLD Grown by LPE |
| |
| DUAN Lihua,FANG Liang,ZHOU Yong,ZHOU Xuemei,HAN Weifeng,LUO Qingchun,HUANG Mao.Analysis on Current Leakage in DCPBH-SLD Grown by LPE[J].Semiconductor Optoelectronics,2012,33(3):342-345. |
| |
| Authors: | DUAN Lihua FANG Liang ZHOU Yong ZHOU Xuemei HAN Weifeng LUO Qingchun HUANG Mao |
| |
| Affiliation: | 1.Dept.of Applied Physics,College of Physics,Chongqing University,Chongqing 400044,CHN; 2.Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN) |
| |
| Abstract: | The mechanism of current leakage in Double Channel Planar Buried Heterrostructure(DCPBH) superluminescent diode(SLD) with p-n-p-n current blocking structure is theoretical analyzed and quantitative calculated.The ideal lateral current confinement is obtained by optimizing the structure and growth conditions of LPE. |
| |
| Keywords: | DCPBH LPE current leakage |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
