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| 铝镓砷中硅δ掺杂的SIMS分析 | |
| 引用本文： | 姜志雄,查良镇,M．Schuhmacher,D．Renard.铝镓砷中硅δ掺杂的SIMS分析[J].真空科学与技术学报,1995(2). |
| 作者姓名： | 姜志雄 查良镇 M．Schuhmacher D．Renard |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系!北京，100084，清华大学电子工程系!北京，100084，ApplicationLab．，CAMECA，France，ApplicationLab．，CAMECA，France |
| 摘 要： | 评述了国际上δ掺杂样品SIMS分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的AlGaAs样品时，选择高质量分辨及对不同一次离子能量下相对灵敏度因子进行核准的必要性，考察了一次束的展宽效应和δ掺杂层位置的微分飘移，对硅δ掺杂的AlGaAs样品用O源进行了定量分析，并对结果作了讨论。 |
| 关 键 词： | 二次离子质谱 定量分析 δ掺杂 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
