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使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数
引用本文:赵宇航,卢意飞,刘强.使用Y函数方法提取MoS2 FET双向扫描电学参数[J].半导体技术,2018,43(2):125-130,159.
作者姓名:赵宇航  卢意飞  刘强
作者单位:上海集成电路研发中心有限公司,上海,201210;中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
摘    要:

关 键 词:MoS2场效应晶体管(FET)  Y函数方法  寄生电阻  杂质电荷  回滞特性
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