| 多孔硅电学特性研究 |
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| 引用本文： | 房振乾,胡明,刘博,宋阳. 多孔硅电学特性研究[J]. 材料工程, 2008, 0(2): 9-13,17 |
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| 作者姓名： | 房振乾 胡明 刘博 宋阳 |
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| 作者单位： | 天津大学,电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅材料,形成了Pt/多也硅/P 型单晶硅/多孔硅/Pt的样品微结构.主要研究了腐蚀条件及氧化后处理对这一微结构横向I-V特性的影响.结果表明该微结构横向I-V特性主要由多孔硅层的电学特性所决定,呈现出非整流的欧姆接触特性.
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| 关 键 词： | 多孔硅 双槽电化学腐蚀法 I-V特性 欧姆接触 多孔硅材料 电学特性 研究 Porous Silicon Electrical Properties 接触特性 欧姆 整流 结果 影响 处理 氧化 腐蚀条件 微结构 样品 单晶硅 法制 化学腐蚀 双槽 |
| 文章编号： | 1001-4381（2008）02-0009-05 |
| 收稿时间： | 2007-08-28 |
| 修稿时间： | 2007-12-15 |
Investigation of the Electrical Properties of Porous Silicon |
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| FANG Zhen-qian,HU Ming,LIU Bo,SONG Yang. Investigation of the Electrical Properties of Porous Silicon[J]. Journal of Materials Engineering, 2008, 0(2): 9-13,17 |
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| Authors: | FANG Zhen-qian HU Ming LIU Bo SONG Yang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon double-tank electrochemical corrosion method LV characteristics ohmiccontact |
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