| 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应 |
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| 引用本文： | 孟志琴,郝跃,唐瑜,马晓华,朱志炜,李永坤.深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应[J].半导体学报,2007,28(2):241-245. |
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| 作者姓名： | 孟志琴 郝跃 唐瑜 马晓华 朱志炜 李永坤 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071 |
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| 摘 要： | 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
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| 关 键 词： | X射线 辐射 总剂量效应 关态泄漏电流 深亚微米 nMOSFET 器件 总剂量 电离 辐射效应 Devices Deep Submicron Effects Dose 仿真验证 相关机理 陷阱电荷 氧化层 影响 发展 分析 电学参数 栅电流 跨导 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0241-05 |
| 收稿时间： | 8/25/2006 8:04:15 PM |
| 修稿时间： | 08 25 2006 12:00AM |
Total Ionizing Dose Effects of Deep Submicron nMOSFET Devices |
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| Meng Zhiqin,Hao Yue,Tang Yu,Ma Xiaohu,Zhu Zhiwei and Li Yongkun.Total Ionizing Dose Effects of Deep Submicron nMOSFET Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2):241-245. |
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| Authors: | Meng Zhiqin Hao Yue Tang Yu Ma Xiaohu Zhu Zhiwei and Li Yongkun |
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| Affiliation: | Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi'an 710071,China;Key Laboratory of the Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices,Xidian University,Xi'an 710071,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | X-ray irradiation total dose effect off-state leakage current |
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