| 超辐射发光管端面AR膜的设计与制备 |
| |
| 引用本文： | 常进,张军,王定理,刘应军,甘毅,李林松,黄晓东,刘涛,邬江帆.超辐射发光管端面AR膜的设计与制备[J].光学仪器,2004,26(2):51-54. |
| |
| 作者姓名： | 常进 张军 王定理 刘应军 甘毅 李林松 黄晓东 刘涛 邬江帆 |
| |
| 作者单位： | 武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074;武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 国家"863计划"资助项目(2003AA311080) |
| |
| 摘 要： | 在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
|
| 关 键 词： | 宽带增透膜 超辐射发光管 极低剩余反射率 放大自发辐射 |
| 文章编号： | 1005-5630(2004)02-0051-04 |
| 修稿时间： | 2003年11月30 |
Design and fabrication of AR film for super-luminescent diode facets |
| |
| CHANG Jin,ZHANG Jun,WANG Ding-li,LIU Ying-jun,GAN Yi,LI Lin-song,HUANG Xiao-dong,LIU Tao,WU Jiang-fan.Design and fabrication of AR film for super-luminescent diode facets[J].Optical Instruments,2004,26(2):51-54. |
| |
| Authors: | CHANG Jin ZHANG Jun WANG Ding-li LIU Ying-jun GAN Yi LI Lin-song HUANG Xiao-dong LIU Tao WU Jiang-fan |
| |
| Abstract: | Using a triple-layer antireflection coating on facets of InGaAsP semiconductor laser chips,the minimum facet reflectivity <0.03% for the center-wavelength of 1310nm and the super-luminescent diode of ASE ripple<0.5dB are obtained. |
| |
| Keywords: | wide band AR film super-luminescent diode ultra-low reflectivity amplified spontaneus emission(ASE) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光学仪器》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光学仪器》下载全文 |
|
