| （ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍 |
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| 引用本文： | 朱南昌,李润身,陈京一,彭中灵,袁诗鑫. （ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍[J]. 红外与毫米波学报, 1995, 14(3) |
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| 作者姓名： | 朱南昌 李润身 陈京一 彭中灵 袁诗鑫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所，中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 摘 要： | 给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与衬底之间的界面共格度接近干零，而多量子阱部分与缓冲层之间的界面接近完全共格，表明多量子阱结构有较好的结构完整性．缓冲层与衬底之间有晶向偏角，而多量子阱结构与缓冲层之间无晶向偏角．在复杂多量子阱材料的摇摆曲线上未见内周期的卫星衍射峰．多量子阱实际的生长厚度比设计厚度小２０％～３０％，说明生长过程中存在表面原子的逃逸，致使样品的不同部位存在组份、厚度的不均匀和局部的应变。还讨论了Ｘ射线衍射仪与双晶衍射仪在测定多量子阱结构时的差别．
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| 关 键 词： | X射线双晶衍射，摇摆曲线，多量子阱，界面共格度 |
STRUCTURE ANALYSIS OF (ZnSe/CdSe)/ZnSe/GaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS BY X-RAY DOUBLE-CRYSTAL DIFFRACTION |
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| Zhu Nanchang,Li Runshen,Chen Jingyi. STRUCTURE ANALYSIS OF (ZnSe/CdSe)/ZnSe/GaAs MULTIPLE QUANTUM WELLS BY X-RAY DOUBLE-CRYSTAL DIFFRACTION[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1995, 14(3) |
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| Authors: | Zhu Nanchang Li Runshen Chen Jingyi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | X-ray double-crystal diffraction rocking curve multiple quantum wells interface coherency. |
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