| SiO2/CeO2混合磨料对硅CMP效果影响 |
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| 引用本文： | 李英的,刘玉岭,孙鸣,夏显召,于江勇,杨昊鹍. SiO2/CeO2混合磨料对硅CMP效果影响[J]. 半导体技术, 2013, 0(1): 51-54 |
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| 作者姓名： | 李英的 刘玉岭 孙鸣 夏显召 于江勇 杨昊鹍 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(2009ZX02308,2009ZX02011-005A) |
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| 摘 要： | 以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅溶胶复配混合作为磨料,利用氧化铈对硅片表面化学反应产物硅酸胺盐的强络合作用,加快了硅衬底表面化学反应进程。分析了复合磨料抛光的机理,通过Aglient 5600LS原子力显微镜,测试了抛光前后的厚度及抛光后的硅片表面微粗糙度。实验结果表明,复合磨料抛光后硅片表面在10μm×10μm范围内粗糙度方均根值0.361 nm,表面微粗糙度降低16%以上,去除率为1 680 nm/min,硅CMP速率提高8%以上,实现了高去除速率、低表面粗糙度的硅单晶抛光。
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| 关 键 词： | 纳米氧化铈 化学机械抛光 硅衬底 去除速率 粗糙度 |
Influence of the SiO2/CeO2 Abrasive on Silicon CMP |
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| Li Yingde,Liu Yuling,Sun Ming,Xia Xianzhao,Yu Jiangyong,Yang Haokun. Influence of the SiO2/CeO2 Abrasive on Silicon CMP[J]. Semiconductor Technology, 2013, 0(1): 51-54 |
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| Authors: | Li Yingde Liu Yuling Sun Ming Xia Xianzhao Yu Jiangyong Yang Haokun |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | |
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