| 超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层 |
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| 引用本文： | 陆华,屈新萍,王光伟,茹国平,李炳宗.超薄W-Si-N 作为铜与硅之间的扩散阻挡层[J].半导体学报,2003,24(6). |
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| 作者姓名： | 陆华 屈新萍 王光伟 茹国平 李炳宗 |
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| 作者单位： | 复旦大学微电子学系,上海,200433 |
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| 摘 要： | 研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性.在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积W-Si-N,Cu/W-Si-N薄膜,样品经过高纯氮气保护下的快速热退火,用俄歇电子能谱原子深度分布与X射线衍射以及电流-电压特性测试等方法研究了W-Si-N薄层的热稳定性与对铜的阻挡特性.实验分析表明W-Si-N三元化合物具有较佳的热稳定性,在800℃仍保持非晶态,当W-Si-N薄层的厚度仅为6nm时,仍能有效地阻挡铜扩散.
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| 关 键 词： | W-Si-N 扩散阻挡层 热稳定性 铜互连 |
Ultra-Thin W-Si-N as Diffusion Barrier Layer Between Cu and Si |
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