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| 多晶硅衬底上的RF MEMS开关 | |
| 引用本文： | 张正元,温志渝,徐世六,张正番,刘玉奎,李开成,黄尚廉.多晶硅衬底上的RF MEMS开关[J].半导体学报,2003,24(8). |
| 作者姓名： | 张正元 温志渝 徐世六 张正番 刘玉奎 李开成 黄尚廉 |
| 作者单位： | 1. 重庆大学光电工程学院,重庆,400044;国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 2. 重庆大学光电工程学院,重庆,400044 3. 国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060 |
| 摘 要： | 在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与IC工艺兼容;采用在金属膜桥的端点附近刻蚀一些孔的优化方法,降低了RF MEMS微机械开关的下拉电压.用TE2819电容测试设备测试开关的电容,测得开关的开态电容、关态电容和致动电压分别为0.32pF、6pF和25V.用HP8753C网络分析仪对RF MEMS微机械开关进行了RF特性测试,得出RF MEMS微机械开关在频率1.5GHz下关态的隔离度为35dB,开态的插入损耗为2dB,用示波器测得该开关的开关速度为3μs. |
| 关 键 词： | 微机械开关 下拉电压 静电引力 金属膜 |
RF MEMS Switch on Poly-Silicon Substrate |
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| Zhang Zhengyuan,Wen Zhiyu,Xu Shiliu,Zhang Zhengfan,Liu Yukui,Li Kaicheng,Huang Shanglian.RF MEMS Switch on Poly-Silicon Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(8). | |
| Authors: | Zhang Zhengyuan Wen Zhiyu Xu Shiliu Zhang Zhengfan Liu Yukui Li Kaicheng Huang Shanglian |
| Abstract: | The improvements of the design and the compatibility with silicon IC of RF MEMS switch are presented.The compatibility with silicon IC is realized by dielectric isolation technology,and the decrease of the pull voltage of the switch is done by etching some holes on the metal membrane.The preliminary test results are as follows:Coff and Con are 0.32pF,6pF,respectively;the pull down voltage is about 25V.The package of the RF MEMS switch is done by micro-stripline,and the isolation and the insertion loss are 35dB,2dB,respectively at 1.5GHz;the switching speed is about 3μs by oscilloscope. |
| Keywords: | RF MEMS switch pull down voltage electrostatic force metal membrane |
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