|
|||||
|
|
| 应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染 | |
| 引用本文： | 马芙蓉,李雪春,梁宏,吴虎才,李晓民,陈如意,罗晏,卢志恒.应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染[J].半导体学报,2003,24(8). |
| 作者姓名： | 马芙蓉 李雪春 梁宏 吴虎才 李晓民 陈如意 罗晏 卢志恒 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875;北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 2. 北京师范大学物理系,北京,100875 3. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875;北京师范大学物理系,北京,100875 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市科技新星计划项目 |
| 摘 要： | 研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染. |
| 关 键 词： | SOI材料 金属污染 感应耦合等离子体技术 |
Characterization of Metallic Impurity Contamination During High Dose Implantation of Oxygen into Silicon Using ICP-AES |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
