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| 漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT的研究（Ⅰ） | |
| 引用本文： | 张海鹏,宋安飞,杨国勇,冯耀兰,魏同立.漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT的研究（Ⅰ）[J].固体电子学研究与进展,2001,21(1). |
| 作者姓名： | 张海鹏 宋安飞 杨国勇 冯耀兰 魏同立 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心，南京，210096 |
| 摘 要： | 提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB）。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423～573K范围的温度特性。指出，通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流，很高的截止态击穿电压，足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出，它不仅适用于高温低压应用，而且适用于高温高压应用。 |
| 关 键 词： | 新结构 绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 高温 泄漏电流 |
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