| MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化 |
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| 引用本文： | 章勇,范广涵. MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化[J]. 光电子．激光, 2006, 17(8): 922-925 |
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| 作者姓名： | 章勇 范广涵 |
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| 作者单位： | 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,610631 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;华南师范大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 研制了一种基于ITO／PEDOT／P—PPV／MEH—PPV／PFO／Ba／Al的多层结构器件，实现MEH—PPV发光峰的窄化和红移。该器件使MEH—PPV发射峰的半高宽（FWHM）由纯MEH—PPV单层的91nm减小到32nm，发光峰相对于MEH—PPV单层的582nm红移了20nm，相应的色坐标（CIE1931）由单层的（0．56，0．33）变为（0．62，0．38）。这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应。
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| 关 键 词： | 电致发光(EL) 聚合物多层 半高宽(FWHM) 红移 |
| 文章编号： | 1005-0086（2006）08-0922-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-30 |
| 修稿时间： | 2005-12-302006-03-10 |
Fabrication and Spectral Redshift and Line-narrowing of MEH-PPV Multilayer Devices |
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| ZHANG Yong,FAN Guang-han. Fabrication and Spectral Redshift and Line-narrowing of MEH-PPV Multilayer Devices[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2006, 17(8): 922-925 |
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| Authors: | ZHANG Yong FAN Guang-han |
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| Affiliation: | Institute of Optoelectronic Material and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631 ,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electroluminescence(EL) polymer multilayer full width at half maximum-(FWHM) redshift |
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