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| 甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究 | |
| 引用本文： | 郭学军,卢景霄,陈永生,张庆丰,文书堂,郑文,申陈海,陈庆东.甚高频高速沉积微晶硅薄膜的研究[J].物理学报,2008,57(9):6002-6006. |
| 作者姓名： | 郭学军 卢景霄 陈永生 张庆丰 文书堂 郑文 申陈海 陈庆东 |
| 作者单位： | 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州 450052 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 采用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜样品，重点研究了硅烷浓度、功率密度、沉积气压和气体总流量对薄膜沉积速率和结晶状态的影响,绘制了沉积气压和功率密度双因素相图. 以0.75nm/s的高速沉积了器件质量级的微晶硅薄膜，并以该沉积速率制备出了效率为5.5%的单结微晶硅薄膜电池.
关键词：
微晶硅薄膜
高速沉积
甚高频化学气相沉积 |
| 关 键 词： | 微晶硅薄膜 高速沉积 甚高频化学气相沉积 |
| 收稿时间： | 2007-11-22 |
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