| ZnO基薄膜晶体管的研究 |
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| 引用本文： | 程松华,曾祥斌.ZnO基薄膜晶体管的研究[J].液晶与显示,2006,21(5):515-520. |
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| 作者姓名： | 程松华 曾祥斌 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉 |
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| 摘 要： | ZnO是一种宽带隙的光电半导体材料,能应用于很多领域,如可用在压敏变阻器、声表面波器件、气敏元件、紫外光探测等。ZnO也可以作为有源层应用于薄膜晶体管(TFT)中。ZnO基薄膜晶体管具有以下突出优势:对于可见光部分平均具有80%以上的透射率,迁移率可以高达36cm2/V·s,开/关电流比大于106,可在较低温度(甚至室温)下制备。基于这些优点,ZnOTFT具有取代有源矩阵液晶显示器中常规a-SiTFT的趋势。同时对ZnOTFT的研究也推动了透明电子学的发展。本文阐述了ZnOTFT优越的电学性能,指出了其目前尚存在的不足,并对其发展前景进行了展望。
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| 关 键 词： | ZnOTFT 迁移率 开/关电流比 有源矩阵液晶显示器 开口率 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)05-0515-06 |
| 修稿时间： | 2006年2月27日 |
Study on ZnO-based Thin Film Transistors |
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| CHENG Song-hua,ZENG Xiang-bin.Study on ZnO-based Thin Film Transistors[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(5):515-520. |
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| Authors: | CHENG Song-hua ZENG Xiang-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO TFT mobility current on/off ratio active-matrix liquid crystal display aperture ratio |
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