| 近红外区高透射率In2O3:W透明导电氧化物薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 冯佳涵,杨铭,李桂锋,张群.近红外区高透射率In2O3:W透明导电氧化物薄膜的研究[J].真空,2008,45(1):27-30. |
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| 作者姓名： | 冯佳涵 杨铭 李桂锋 张群 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 摘 要： | 采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3W,IWO)透明导电氧化物薄膜.薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差.与相同电阻率的ITO(In2O3Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点.研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响.制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4 Ω·cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%.
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| 关 键 词： | 近红外 高透射率 掺钨氧化铟 薄膜 外区 透射率 透明导电氧化物薄膜 研究 region transmittance high films conductive transparent 范围 可见光 高载流子迁移率 最佳 影响 光学性能 电学 参数 电流 氧分压 |
| 文章编号： | 1002-0322（2008）01-0027-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-22 |
| 修稿时间： | 2007年8月22日 |
Study on tungsten-doped In2O3 transparent conductive films with high transmittance in near-infrared region |
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| FENG Jia-han,YANG Ming,LI Gui-feng,ZHANG Qun.Study on tungsten-doped In2O3 transparent conductive films with high transmittance in near-infrared region[J].Vacuum,2008,45(1):27-30. |
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| Authors: | FENG Jia-han YANG Ming LI Gui-feng ZHANG Qun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | near-infrared transmittance tungsten- doped indium oxide thin film |
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