| 圆片级感应局部加热封装研究 |
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| 引用本文： | 席炎炎,罗小兵,刘文明,陈明祥,刘胜.圆片级感应局部加热封装研究[J].中国科学:信息科学,2010,40(3):255-262. |
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| 作者姓名： | 席炎炎 罗小兵 刘文明 陈明祥 刘胜 |
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| 作者单位： | ① 华中科技大学能源学院, 武汉 430074;
② 华中科技大学武汉光电国家实验室MoEMS研究部, 武汉 430074 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(“863”计划)(批准号: 2006AA04Z328)资助项目 |
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| 摘 要： | 提出一种MEMS高频电磁局部感应加热封装的方法, 并将其应用于圆片级感应局部加热封装. 为达到MEMS圆片级封装键合, 通过数值模拟和实验研究, 首先设计与优化感应器的结构, 其次验证PCB板在感应器内的加热情况, 初步实现了MEMS在均匀磁场中的均匀局部感应加热封装. 结果表明: 采用局部感应加热封装, 可有效降低封装过程中热对芯片的影响,可大大减小芯片的热应力, 有效提高MEMS器件的寿命.
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| 关 键 词： | MEMS封装 感应加热 数值模拟 结构优化 |
| 收稿时间： | 2009-04-05 |
| 修稿时间： | 2009-06-08 |
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