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薄膜物理与制备
引用本文:吴卫东,冯建鸿,黄勇,许华,陈志梅,唐晓虹,罗江山.薄膜物理与制备[J].工程物理研究院科技年报,2003(1):99-100.
作者姓名:吴卫东  冯建鸿  黄勇  许华  陈志梅  唐晓虹  罗江山
摘    要:薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义,2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容:低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究;脉冲激光沉积(PLD)法Fe/Al合金薄膜研制;磁控溅射法Au/Gd,Ti/A1,Ti/Cr支撑薄膜研制;碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下:(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下:

关 键 词:薄膜物理  制备工艺  惯性约束聚变实验  低压等离子体化学气相沉积  磁控溅射法
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