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| 77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究 | |
| 引用本文： | 刘卫东,李志坚,刘理天.77KFowler－Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究[J].半导体学报,1996,17(8):601-606. |
| 作者姓名： | 刘卫东 李志坚 刘理天 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所 |
| 摘 要： | 本文研究７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀电子注入时栅氧化层对电荷的俘获特性．发现沟道区上方栅氧化层将俘获净正电荷，使阈值电压下降；而栅边缘氧化层对电子的俘获明显增强，并高于室温下的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显著降低；提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷阱机制． |
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