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| Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究 | |
| 引用本文： | 李映雪,李玉铭,李山东.Ti/SiO_2(薄)/Si体系在微量氧存在的氮气中退火过程的研究[J].半导体学报,1993,14(10):637-643. |
| 作者姓名： | 李映雪 李玉铭 李山东 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，哈尔滨科技大学基础部，哈尔滨科技大学技术物理系 北京 100871，哈尔滨 150080，哈尔滨 150080 |
| 摘 要： | RBS,AES,XPS分析结果证实:在有微量氧存在的氮气中,Ti/SiO_2(薄)/Si体系不同温度下退火过程均无TiN生成;随退火温度升高,该体系形成的TiSi_2层不断增厚,Ti氧化物层不断变薄,并伴有SiO_2在表面层重新出现。通过△G的计算,热力学证明反应2TiO+5Si=2TiSi_2+SiO_2能够发生,并以此解释了退火中各层的变化规律。 |
| 关 键 词： | Ti／SiO2／Si 微量氧 氮气 退火 |
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