MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究 |
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引用本文: | 罗元,李向东,付红桥,黄尚廉.MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究[J].半导体光电,2003,24(2):127-130. |
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作者姓名: | 罗元 李向东 付红桥 黄尚廉 |
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作者单位: | 1. 重庆大学,光电工程学院,重庆,400044;重庆邮电学院,光电工程学院,重庆,400065 2. 重庆光电技术研究所,重庆,400060 3. 重庆大学,光电工程学院,重庆,400044 |
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基金项目: | 重庆市院士基金;6795; |
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摘 要: | TMAH具有刻硅速率高、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点,而成为MEMS工艺中常用的刻蚀剂。但TMAH在刻蚀过程中合形成表面小丘,影响表面光滑性。文章重点研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺。实验结果表明,要获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀条件的选择是非常重要的因素,实验中也得到了一些与其它报道不同的数据。
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关 键 词: | 湿法刻蚀 TMAH MEMS 微机械技术 微加工工艺 半导体 |
文章编号: | 1001-5868(2003)02-0127-04 |
修稿时间: | 2002年11月18日 |
Research on TMAH Wet Etching in MEMS |
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Abstract: | |
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Keywords: | wet etching TMAH MEMS |
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