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MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究
引用本文:罗元,李向东,付红桥,黄尚廉.MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究[J].半导体光电,2003,24(2):127-130.
作者姓名:罗元  李向东  付红桥  黄尚廉
作者单位:1. 重庆大学,光电工程学院,重庆,400044;重庆邮电学院,光电工程学院,重庆,400065
2. 重庆光电技术研究所,重庆,400060
3. 重庆大学,光电工程学院,重庆,400044
基金项目:重庆市院士基金;6795;
摘    要:TMAH具有刻硅速率高、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点,而成为MEMS工艺中常用的刻蚀剂。但TMAH在刻蚀过程中合形成表面小丘,影响表面光滑性。文章重点研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺。实验结果表明,要获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀条件的选择是非常重要的因素,实验中也得到了一些与其它报道不同的数据。

关 键 词:湿法刻蚀  TMAH  MEMS  微机械技术  微加工工艺  半导体
文章编号:1001-5868(2003)02-0127-04
修稿时间:2002年11月18日

Research on TMAH Wet Etching in MEMS
Abstract:
Keywords:wet etching  TMAH  MEMS
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