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加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响
引用本文:张有为,周细应,周涛,聂志云,答建成,杨涛.加磁场对GZO薄膜结构及光电性能的影响[J].人工晶体学报,2016,45(1):53-57.
作者姓名:张有为  周细应  周涛  聂志云  答建成  杨涛
作者单位:上海工程技术大学材料工程学院,上海,201620
基金项目:上海工程技术大学研究生科研创新项目(14KY0512)
摘    要:采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO (GZO)薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93;,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3 Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7.36cm2 ·V-1 ·S-1增至9.53 cm2·V-1·S-1.

关 键 词:外加磁场  磁控溅射  GZO薄膜  晶体结构  光电性能  

Effect of External Magnetic Field on the Structure and Photoelectric Properties of Ga-doped ZnO Thin Films
ZHANG You-wei,ZHOU Xi-ying,ZHOU Tao,NIE Zhi-yun,DA Jian-cheng,YANG Tao.Effect of External Magnetic Field on the Structure and Photoelectric Properties of Ga-doped ZnO Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(1):53-57.
Authors:ZHANG You-wei  ZHOU Xi-ying  ZHOU Tao  NIE Zhi-yun  DA Jian-cheng  YANG Tao
Abstract:
Keywords:external magnetic field  magnetron sputtering  GZO thin film  crystal structure  photoelectric property
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