| GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 户芳,余春燕,梅伏洪,张华,许并社.GaN衬底掺杂模式对ZnO纳米棒光学性质的影响[J].人工晶体学报,2016,45(4):946-950. |
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| 作者姓名： | 户芳 余春燕 梅伏洪 张华 许并社 |
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| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61404089)，山西省自然科学基金(2014011016-6)，山西省基础研究项目(2015021103)，山西省青年科技研究基金(2014021019-1) |
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| 摘 要： | 本文通过水热法在u-GaN(undoped GaN)/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底上制备了ZnO纳米棒阵列.利用X射线衍射仪(XRD)、高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光谱(PL)对样品进行表征,研究在无种子层和金属催化剂情况下u-GaN/Al2 O3和p-GaN/Al2O3衬底对ZnO纳米棒生长的影响.结果表明,在u-GaN和p-GaN上生长的ZnO纳米棒均为六方纤锌矿结构.在p-GaN上生长的ZnO纳米棒直径较细且密度更大,这可能是由于p-GaN界面比较粗糙,界面能量较大,为ZnO的生长提供了更多的形核区域;与生长在u-GaN上的ZnO纳米棒阵列相比,p-GaN上所沉积的ZnO纳米棒在378.3 nm处有一个较强的近带边发射峰,且峰强比较大,说明在p-GaN上所制备的ZnO纳米棒的晶体质量和光学性能更好.
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| 关 键 词： | ZnO纳米棒 水热法 GaN衬底 光学性能 |
Effect of GaN Substrate with Different Doping on the Optical Properties of ZnO Nanorods |
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| HU Fang,YU Chun-Yan,MEI Fu-hong,ZHANG Hua,XU Bing-she.Effect of GaN Substrate with Different Doping on the Optical Properties of ZnO Nanorods[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(4):946-950. |
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| Authors: | HU Fang YU Chun-Yan MEI Fu-hong ZHANG Hua XU Bing-she |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanorod hydrothermal method GaN substrate optical property |
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