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| 高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器 | |
| 引用本文： | 钟战天,周小川,杜全钢,周鼎新,吴荣汉,王森,李承芳,於美云,徐俊英,朱勤生.高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器[J].半导体学报,1994,15(3):188-193. |
| 作者姓名： | 钟战天 周小川 杜全钢 周鼎新 吴荣汉 王森 李承芳 於美云 徐俊英 朱勤生 |
| 作者单位： | 中国科学院表面物理国家重点实验室，中国科学院半导体研究所，航空航天部上海８０３研究所 |
| 摘 要： | 本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的ＧａＡｓ量子阱长波长红外探测器的制备和性能．探测器具有５０个ＧａＡｓ量子阱和Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ势垒，器件制成直径为３２０μｍ的台面型式单管．探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大．通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高：探测峰值波长为９．２μｍ，工作温度为７７Ｋ时，峰值电压响应率为９．７e５Ｖ／Ｗ，峰值探测率超过１e１１ｃｍ·／Ｈｚ／Ｗ，暗电流小于０．１μＡ． |
| 关 键 词： | 砷化镓 量子阱 红外探测器 暗电流 |
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