| 1550 nm毫瓦级单横模垂直腔面发射半导体激光器 |
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| 引用本文： | 张建伟,张星,周寅利,李惠,王岩冰,陈志明,徐嘉琪,宁永强,王立军.1550 nm毫瓦级单横模垂直腔面发射半导体激光器[J].物理学报,2022(6):346-352. |
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| 作者姓名： | 张建伟 张星 周寅利 李惠 王岩冰 陈志明 徐嘉琪 宁永强 王立军 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室;3. 青岛科技大学 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2018YFB2002401)；;国家自然科学基金重大项目(批准号:62090060,61727822);国家自然科学基金(批准号:61874117,11774343,61804087)；;吉林省科技发展计划(批准号:20200401006GX)；;山东省自然科学基金(批准号:ZR2019QF015)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 报道了国内首次实现出光功率达到毫瓦量级的单横模1550 nm波段垂直腔面发射半导体激光器(vertical-cavity surface-emitting laser, VCSEL).设计了基于InAlGaAs四元量子阱的应变发光区结构;设计并制备了具有隧穿特性的台面结构,实现了对载流子空穴的高效注入及横向模式调控;采用半导体分布式布拉格反射镜与介质反射镜结合的方式制备了1550 nm VCSEL的反射镜结构. VCSEL中心波长位于1547.6 nm,工作温度为15℃时最高出光功率可达到2.6 mW,最高单模出光功率达到0.97 mW,最大边模抑制比达到35 dB.随着工作温度增加,激光器最高出光功率由于发光区增益衰减而降低,然而35℃下最大出光功率仍然可以达到1.3 mW.激光器中心波长随工作电流漂移系数为0.13 nm/mA,并且激光波长在单模工作区呈现出非常一致的漂移速度,在气体探测领域具有很好的应用潜力.本研究为下一步通过高密度集成获得高功率1550 nm VCSEL列阵奠定了基础.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射半导体激光器 长波长 单横模 光通信 传感探测 |
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