| InP中子位移损伤效应的Geant4模拟 |
| |
| 引用本文： | 李薇,白雨蓉,郭昊轩,贺朝会,李永宏.InP中子位移损伤效应的Geant4模拟[J].物理学报,2022(8):77-84. |
| |
| 作者姓名： | 李薇 白雨蓉 郭昊轩 贺朝会 李永宏 |
| |
| 作者单位： | 西安交通大学核科学与技术系 |
| |
| 摘 要： | 磷化铟(In P)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中, In P半导体器件受大气中子辐照影响,器件性能发生退化.本文采用蒙特卡罗模拟软件Geant4对In P中子辐照效应进行模拟,得到In P中不同能量中子产生的位移损伤初态分布.结果表明:在微米量级内,非电离能量损失(NIEL)随深度均匀分布,在厘米及更高量级上, NIEL随着入射深度的增大而降低,当靶材料足够厚时可以降低至零;分析1—20 Me V中子入射3μm In P产生的NIEL及其随深度分布,发现NIEL随入射中子能量的增加呈现出先升后降的趋势,该趋势主要由非弹性散射反应产生的初级反冲原子(PKA)造成;分析1—20 Me V中子入射3μm In P产生的PKA种类、能量,发现In/P的PKA占比较大,是产生位移损伤的主要因素,中子能量越高, PKA的种类越丰富, PKA最大动能越大,但PKA主要分布在低能部分.研究结果对In P基5G器件在大气中子辐射环境中的长期应用具有理论和指导价值.
|
| 关 键 词： | 中子 InP 位移损伤 非电离能量损失 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
