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Ga3+对Ce3+光致发光的影响
引用本文:徐春祥,娄志东,马龙,刘行仁,徐叙瑢.Ga3+对Ce3+光致发光的影响[J].中国稀土学报,1998,16(2):121-125.
作者姓名:徐春祥  娄志东  马龙  刘行仁  徐叙瑢
作者单位:东南大学分子与生物分子电子学开放实验室,天津大学应用物理系,中国科学院长春物理研究所,北方交通大学光电子技术研究所
摘    要:研究了Ga3+在SrS∶Ce和SrGa2S4∶Ce薄膜电致发光(TFEL)材料中的作用及其对Ce3+发光特性的影响。在SrS中掺入Ga2S3并烧结,发现Ga3+的浓度增加时,Ce3+的发光显著向短波方向移动,激发谱中对应于SrS带间吸收的激发峰相对减弱,而对应于Ce3+的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高,并出现逐渐增强的SrGa2S4的带间吸收。Ga3+的引入使Ce3+周围的配位场发生变化,相应的能级分布有所改变,Sr2+离子性的增强和Ce3+-Ce3+相互作用的减弱对Ce3+发光特性有显著影响。

关 键 词:稀土,镓,铈,SrGa_2S_4∶Ce,光致发光
修稿时间:1997-01-15
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