| 稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究 |
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| 引用本文： | 陈晞,王学忠,刘继周,陈辰嘉,王杰,凌震,王迅,王淑梅,吕少哲.稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延薄膜与超晶格的光学特性研究[J].半导体学报,1996,17(8):573-577. |
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| 作者姓名： | 陈晞 王学忠 刘继周 陈辰嘉 王杰 凌震 王迅 王淑梅 吕少哲 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室 |
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| 摘 要： | 用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于
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