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C波段GaN固态功放及其功率合成器研制北大核心CSCD
引用本文:梁勤金,梁璐,陈世韬,卢朝政.C波段GaN固态功放及其功率合成器研制北大核心CSCD[J].现代雷达,2013(11):76-79.
作者姓名:梁勤金  梁璐  陈世韬  卢朝政
作者单位:1.高功率微波国防科技重点实验室621900;2.电子科技大学政管学院611731;
基金项目:国防科工局民用航天"十二五"预研项目
摘    要:介绍了一种C波段高功率高效率GaN固态功率放大器及其径向同轴功率合成器研究成果,基于该功率合成器设计出一种C波段输出功率110 W(CW)、效率40%的高效率GaN功率放大器。实验测试结果:表明采用四路C波段30 W GaN功放径向同轴功率合成方法,其功率合成效率达93%,解决了实际工程应用中C波段高功率微波功率放大器的高效率问题,为下一步研制更高性能高效率高功率固态功率放大器探索出一种可行的技术方法。

关 键 词:GaN功率放大器  径向同轴功率合成  合成效率
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