| 氮化铝薄膜的低温沉积 |
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| 引用本文： | 孙剑,吴嘉达,应质峰,施维,凌浩,周筑颖,丁训民,王康林,李富铭. 氮化铝薄膜的低温沉积[J]. 半导体学报, 2000, 21(9): 914-917 |
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| 作者姓名： | 孙剑 吴嘉达 应质峰 施维 凌浩 周筑颖 丁训民 王康林 李富铭 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海200433，复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海200433，复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海200433，复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海200433，复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室!上海20 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：69878004)和上海市科学技术发展基金(批准号：98JC14011)资助项目[Project Supported by Natlonal Natural Science Foundation of China(Grant No．69878004)and by Science and Technology Development Foundation of Shanghai(Grant No．98JC14011) |
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| 摘 要： | 介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成
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| 关 键 词： | 氮化铝 低温沉积 薄膜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)09-0914-04 |
| 修稿时间： | 1999-07-30 |
Low-Temperature Deposition of AIN Films |
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| SUN Jian+,WU Jia|da+,YING Zhi|feng+,SHI Wei+,LING Hao+,ZHOU Zhu|ying ,DING Xun|min+,WANG Kang|lin+ and LI F u|ming+. Low-Temperature Deposition of AIN Films[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(9): 914-917 |
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| Authors: | SUN Jian+ WU Jia|da+ YING Zhi|feng+ SHI Wei+ LING Hao+ ZHOU Zhu|ying DING Xun|min+ WANG Kang|lin+ LI F u|ming+ |
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| Affiliation: | SUN Jian,WU Jia-da,YING Zhi-feng,SHI Wei,LING Hao(Stae Key Laboratory for Materials Modification by Laser,Ion and Electron Beams, Department of Physics,Fudan University,Shanghai 200433,China)ZHOU Zhu-ying( Institute of Modern Physics, Fudan University,Shanghai 200433,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlN Low|temperature deposition films |
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