金-硅面垒型半导体探测器 |
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引用本文: | 唐璞山,吴治华.金-硅面垒型半导体探测器[J].原子能科学技术,1963(5). |
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作者姓名: | 唐璞山 吴治华 |
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作者单位: | 复旦大学
(唐璞山),复旦大学(吴治华) |
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摘 要: | 本文扼要地叙述了金-硅面垒探测器的制备工艺过程,并对此探测器的各种性能,包括伏安特性、势垒电容、噪声、对Po~(210)源α粒子的响应讯号、能量分辨率、温度效应和γ辐照效应等方面作了比较系统的测量。对结果进行了讨论。同时利用测得的结果探讨了一些探测器本身的半导体性能,如平均电离能ε_0和材料的寿命τ等。最后介绍了用表面复盖有硼膜和铀层的这种探测器记录中子的情况。
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