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基于Si-BCB工艺Ka波段双模带通滤波器
引用本文:陈雯芳,孙浩,方针,孙晓玮.基于Si-BCB工艺Ka波段双模带通滤波器[J].电子测量技术,2016,39(11):26-29.
作者姓名:陈雯芳  孙浩  方针  孙晓玮
作者单位:上海大学通信与信息工程学院上海200070,中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050,上海大学通信与信息工程学院上海200070,中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050
基金项目:国家重大仪器项目(2012YQ14003702)资助
摘    要:介绍了一种应用于毫米波晶圆级集成基于Si BCB工艺的Ka波段双模带通滤波器。微带线结构的全波长谐振器具有低辐射特性,全波长环形阶跃阻抗谐振器(step impedance resonator, SIR)有两种正交谐振模式,可以减小滤波器尺寸。通过对基于环形谐振器的双模滤波器进行奇偶模分析,确定谐振器的设计参数。采用宽边耦合结构设计输入输出端口,具有高耦合度。仿真结果表明中心频率35 GHz,通带内插损1.2 dB,回波损耗优于30 dB,BW3 dB为15%。最后,采用Si BCB工艺制作滤波器并完成测试。测试结果为中心频率33.3 GHz,通带内插损1.17 dB,回波损耗优于30 dB,BW3 dB为18%。测试结果与仿真结果基本吻合。

关 键 词:Si  BCB工艺    SIR滤波器  双模  宽边耦合

Ka band dual mode band pass filter with Si BCB technology
Chen Wenfang,Sun Hao,Fang Zhen and Sun Xiaowei.Ka band dual mode band pass filter with Si BCB technology[J].Electronic Measurement Technology,2016,39(11):26-29.
Authors:Chen Wenfang  Sun Hao  Fang Zhen and Sun Xiaowei
Affiliation:School of Communication and Information Engineering, Shanghai University, Shanghai 200070, China,Shanghai Institute of Micro system and Information Technology, Shanghai 200050, China,School of Communication and Information Engineering, Shanghai University, Shanghai 200070, China and Shanghai Institute of Micro system and Information Technology, Shanghai 200050, China
Abstract:
Keywords:Si BCB progress  SIR filter  dual mode  broadside coupling
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