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| 单晶Si表面微观磨损机理的SEM研究 | |
| 引用本文： | 孙蓉,徐洮,张治军,刘惠文,薛群基.单晶Si表面微观磨损机理的SEM研究[J].电子显微学报,2003,22(6):516-517. |
| 作者姓名： | 孙蓉 徐洮 张治军 刘惠文 薛群基 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000;河南大学特种功能材料重点实验室,河南,开封,475001 2. 中国科学院兰州化学物理研究所,固体润滑国家重点实验室,甘肃,兰州,730000 3. 河南大学特种功能材料重点实验室,河南,开封,475001 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (No .5 0 172 0 5 2 ,No .5 0 175 10 5 )，中国科学院百人计划资助项目 |
| 摘 要： | 在微型机电系统和计算机磁记录系统中，硅材料的应用正日益受到重视。这是由于硅材料具有硬度高、表面光洁度好、成本低廉、易于采用集成电路技术制造和有利于器件微小型化等特点。因此，有关硅材料的微观摩擦学问题的研究已成为国际摩擦学领域的前沿课题。 |
| 关 键 词： | 单晶Si 表面微观磨损机理 SEM 扫描电子显微镜 硅材料 表面光洁度 集成电路技术 |
Investigation of the microcosmical wear mechanism of single-crystal Si by SEM |
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| Abstract: | |
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