自蔓延合成β-SiC粉制备碳化硅陶瓷

本研究采用自蔓延合成β-SiC粉体,添加硼、碳烧结助剂,在不同的烧结温度下,经过无压烧结制备了碳化硅陶瓷。测试了试样密度、烧失率及收缩率,分析研究了不同烧结温度下样品的致密度。通过对比三组不同烧结助剂配方对烧成品致密的影响,并结合样品的显微结构和相组成分析表征,研究了陶瓷微观形态与表观性能的关系。实验结果表明:烧结助剂B含量为1 wt%、C含量为1.5 wt%时,2000℃下烧结得到的材料致密度最佳,其值为2.77g/cm~3。