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| 放电等离子烧结制备Ti3SiC2材料的研究 | |
| 作者姓名： | 朱教群 梅炳初 等 |
| 摘 要： | 本文报道分别以Ti/Si/C,Ti/SiC/C为原料，采用放电等离子烧结工艺制备Ti3SiC材料的研究结果，以元素单质粉为原料，掺加适量Al作助剂能加速Ti3SiC2的反应合成并提高材料的纯度，在1200－1250℃的温度下能制备出经XRD，SME和EDS表征不含TiC和SiC等杂质相的纯净Ti3SiC2材料，而以Ti/SiC/C为原料时，有无Al作助剂都难以制备出纯净的Ti3SiC2，其反应合成温度明显高于以元素单质粉为原料的。 |
| 关 键 词： | Ti3SiC2材料 碳硅化钛 制备 放电等离子烧结 原料 |
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