杂质对Nb2GeC性质影响的第一性原理研究 |
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作者姓名: | 陈俊俊 段济正 张学智 姜欣 段文山 |
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作者单位: | 1. 西北师范大学与物理与电子工程学院, 兰州 730070;2. 中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000;3. 中国科学院宁波工业技术研究院, 宁波 315201 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号: 11275156)资助的课题. |
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摘 要: | 为进一步研究Nb2GeC在辐照环境中的稳定性, 本文研究了O, H和He杂质在Nb2GeC中的稳定情况. 所有杂质的研究都是从替代和间隙两个方面来进行的, 计算得到了替代和间隙的形成能, 存在替代和间隙时Nb2GeC的晶格常数, 以及单胞体积, 并且与完美的晶胞进行了比较. 此外, 通过电荷密度分布和Mulliken 布居, 分析了O, H, He杂质对Nb2GeC 的电子性质的影响.
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关 键 词: | MAX相 第一性原理 杂质 |
收稿时间: | 2015-06-17 |
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