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| 156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制 | |
| 引用本文： | 康耀辉,高建峰,黄念宁,陈堂胜.156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制[J].固体电子学研究与进展,2010,30(1). |
| 作者姓名： | 康耀辉 高建峰 黄念宁 陈堂胜 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016 |
| 摘 要： | 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到495mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.19V时的最大非本征跨导gm为1032mS/mm,截止频率ft达到156GHz,最大振荡频率fmax大于150GHz。 |
| 关 键 词： | 渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率 |
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