硼掺杂对非晶硅薄膜微结构和光电性能的影响 |
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作者姓名: | 张溪文 沈大可 等 |
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作者单位: | [1]浙江大学硅材料科学国家重点实验室,杭州310027 [2]浙江大学硅材料科学国家重点实验室, |
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摘 要: | 以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相应反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出轻掺硼非昌氢硅薄膜,X射线衍射,原子力显微镜和光,暗电导测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率,降低了非晶氢硅薄膜的光,暗电导比,并促进了非晶氢硅薄膜中硅微晶粒的生长,红外吸为研究预示了大量的硼原子与硅,氢原子之间能形成某些形式的复合体,仅有少量硼元素对P型掺杂有贡献。
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关 键 词: | 非晶硅薄膜 硼掺杂 半导体 等离子增强化学气相沉积 微结构 光电性能 |
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