背表面场聚光硅太阳电池测试结果和理论预测的比较 |
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引用本文: | 胡宏勋,郭印池.背表面场聚光硅太阳电池测试结果和理论预测的比较[J].太阳能学报,1982(3). |
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作者姓名: | 胡宏勋 郭印池 |
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作者单位: | 天津电源研究所
(胡宏勋),天津电源研究所(郭印池) |
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摘 要: | 研制成功了基体电阻率为1Ω-Cm的n~ -p-p~ (背表面场)聚光硅太阳电池。用电压叠加法原理,借助于计算机获得了电池在1—100个太阳(一个太阳为AM1光强——100mW/cm~2)下的开路电压、高低结电压、基区电压、短路电流密度和效率的理论数值。电池在1—65个太阳下测试得到的结果和计算机提供的理论数值一致。电池在30个太阳下的效率达到18.8%,在65个太阳下达到15.1%。测得电池的电压温度系数为1.995mV/℃。本文强调了1Ω-cm n~ -p-p~ 聚光硅太阳电池对提高聚光方阵性能的意义。
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