| BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究 |
| |
| 引用本文： | 刘玉荣,李观启.BST薄膜电容器的制备及其调谐性能研究[J].压电与声光,2006,28(2):161-163. |
| |
| 作者姓名： | 刘玉荣 李观启 |
| |
| 作者单位： | 华南理工大学,物理科学与技术学院,广东,广州,510640 |
| |
| 摘 要： | 利用氩离子束溅射技术在SiO2/Si衬底上淀积Ba0.8Sr0.2TiO3(BST)薄膜,该薄膜在氧气气氛中500℃退火处理30 min,然后利用集成电路平面工艺将薄膜制作成叉指结构电容器。X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)分析表明,BST薄膜具有钙钛矿结构,薄膜表面光滑,晶粒致密且分布均匀。调谐性能测试结果表明,该电容器具有较高的电容调谐率,在室温100 kHz频率下,对于2 V的直流偏压,其调谐率和损耗因子分别为62%和0.02。这说明具有此结构的BST薄膜电容器可望应用于微波集成电路。
|
| 关 键 词： | BST薄膜 薄膜电容器 调谐特性 退火处理 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)02-0161-03 |
| 收稿时间： | 2004-08-06 |
| 修稿时间： | 2004年8月6日 |
Fabrication and Tuning Properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 Thin-film Capacitors on SiO2/Si Substrate |
| |
| LIU Yu-rong,LI Guan-qi.Fabrication and Tuning Properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 Thin-film Capacitors on SiO2/Si Substrate[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2006,28(2):161-163. |
| |
| Authors: | LIU Yu-rong LI Guan-qi |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | BST thin film thin-film capacitor tuning characteristics annealing treatment |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
