真空共蒸发沉积制备酞菁酮—酞菁铅复合膜及性能研究 |
| |
作者姓名: | 季振国 王家为 等 |
| |
作者单位: | [1]浙江大学材料与化工学院硅材料国家重点实验室,杭州310027 [2]香港中文大学先进表面与材料分析中心,香港沙田 |
| |
摘 要: | 本通过真空共蒸发制备了酞菁铜-酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带(Q带)明显发生宽化,其波长覆盖范围扩展到600-1200nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强,吸收边有明显的红移现象,本对这一现象进行了简单的描述。
|
关 键 词: | 真空共蒸发沉积 制备 酞菁铜-酞菁铅 复合膜 性能 电荷转移 有机光电材料 光吸收谱 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|