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隔离电阻对集成光源特性的影响分析
引用本文:冯巍巍,王幼林,祝宁华.隔离电阻对集成光源特性的影响分析[J].光电子.激光,2005,16(5):519-522.
作者姓名:冯巍巍  王幼林  祝宁华
作者单位:中国科学院半导体研究所集成光电国家重点实验室,北京,100083
基金项目:国家“863”计划重大资助项目(2001AA312030,2001AA312290),国家“973”课题资助项目(G2000036601),国家杰出青年基金资助项目(69825109)
摘    要:提出了一种分布反馈(DFB)激光器与电吸收(EA)调制器集成光源(EML)的等效电路模型。该模型考虑了由于隔离电阻不够大而导致的激光器与调制器之间的电耦合,通过对电路模型进行仿真可以看出,对于不同隔离电阻的EML,激光器的阈值电流、调制器的频率响应带宽、集成器件的小信号调制和脉冲调制等多方面特性均有明显不同。分析得到,EML的隔离电阻阻值只有达到10kQ量级,才能够忽略电泄漏对器件特性的影响。并指出EML在更高的偏置下,将对隔离电阻提出更高的要求。

关 键 词:隔离电阻  光源特性  等效电路模型  调制器  激光器  EML  集成光源  分布反馈  阈值电流  频率响应  脉冲调制  信号调制  集成器件  电阻阻值  器件特性  电吸收  电耦合  偏置
文章编号:1005-0086(2005)05-0519-04

Dependence of the Characteristics of the Integrated Laser-modulator on the Isolation Resistance
FENG Wei-wei.Dependence of the Characteristics of the Integrated Laser-modulator on the Isolation Resistance[J].Journal of Optoelectronics·laser,2005,16(5):519-522.
Authors:FENG Wei-wei
Affiliation:FENG Wei-wei~
Abstract:
Keywords:integrated laser-modulator(EML)  circuit model  distributed feedback(DFB) laser  electroabsorption(EA) modulator  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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