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Ti掺杂对La1.2Ca1.8Mn2-xTixO7磁电阻的影响
引用本文:陈勤,潘亚林.Ti掺杂对La1.2Ca1.8Mn2-xTixO7磁电阻的影响[J].安徽建筑工业学院学报,2000,8(2):69-72.
作者姓名:陈勤  潘亚林
作者单位:中国科学技术大学材料科学与工程系!合肥230026(陈勤),安徽建筑工业学院环境工程与电子系!合肥230022(潘亚林)
摘    要:研究层状钙钛矿结构锰氧化物 La1 .2 Ca1 .8Mn2 - x Tix O7( x=0 .0 0 ,0 .0 5,0 .1 0 )块状样品磁电阻性质 ,发现 Mn位掺杂 Ti4 离子使材料电阻率上升 ,电阻率峰值温度 Tp 降低 ,Tp 附近及低温下磁阻增加 ;当 x=0 .1 0时 ,材料在所测温区表现为类绝缘态 ,但在 H=0 .5T外场下可观察到场致的金属 -绝缘体转变 ,同时获得磁电阻 ( MR=〔ρ( H) -ρ( 0 )〕/ρ( 0 ) )高达 -4 3 %。对以上结果的解释应是同时考虑在层状钙钛矿材料内的各向异性交换作用和因磁结构被破坏而产生的具有不同磁相关长度的区域的共存

关 键 词:层状钙钛矿材料  锰位掺杂  磁电阻

Ti DOPING EFFECTS ON MAGNETORESISTANCE IN THE LAYERED PEROVSKITE La_(1.2) Ca_(1.8) Mn_(2-x) Ti_xO_7
Chen Qin.Ti DOPING EFFECTS ON MAGNETORESISTANCE IN THE LAYERED PEROVSKITE La_(1.2) Ca_(1.8) Mn_(2-x) Ti_xO_7[J].Journal of Anhui Institute of Architecture(Natural Science),2000,8(2):69-72.
Authors:Chen Qin
Abstract:
Keywords:layered perovskites  mn site doping  magnetoresistance
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