| 基于表面势的HEMT模型分析 |
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| 引用本文： | 吕彬义,孙玲玲,孔月婵,陈辰,刘军,陈磊.基于表面势的HEMT模型分析[J].半导体技术,2010,35(4):320-324. |
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| 作者姓名： | 吕彬义 孙玲玲 孔月婵 陈辰 刘军 陈磊 |
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| 作者单位： | 单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016;杭州电子科技大学,教育部射频电路与系统重点实验室,杭州310018;杭州电子科技大学,教育部射频电路与系统重点实验室,杭州310018;单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60706002);;CETC55所砷化镓微波毫米波单片和模块电路国防重点实验室基金(9140C1402030803) |
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| 摘 要： | 将表面势的概念引入GaAs高电子迁移率晶体管器件结构,以建立可精确描述HEMT器件输入/出特性的新模型。通过分析最基本的HEMT结构,参考Si基MOSFET中Pao-sah模型的分析方法,对沟道电荷利用泊松方程表述,并结合能带电压关系,建立HEMT器件中表面势(Φ_s)对于栅压(V_(GS))的关系。基于上述分析计算了沟道中电子的饱和点。根据推导所得方程,模型计算得到的某具体器件沟道面电荷密度(n_s)-栅压(V_(GS))关系曲线和基于T-CAD工具仿真结果在线性区得到很好的吻合。
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| 关 键 词： | 高电子迁移率管晶体管 表面势 泊松方程 Pao-sah模型 |
Model Analysis for HEMT Based on Surface Potential |
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| Lü Binyi,Sun Lingling,Kong Yuechan,Chen Chen,Liu Jun,Chen Lei.Model Analysis for HEMT Based on Surface Potential[J].Semiconductor Technology,2010,35(4):320-324. |
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| Authors: | Lü Binyi Sun Lingling Kong Yuechan Chen Chen Liu Jun Chen Lei |
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| Affiliation: | u|¨;1;2;1.National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules;Nanjing 210016;China;2.Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education;Hangzhou Dianzi University;Hangzhou 310018;China |
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| Abstract: | The conception of surface potential into GaAs high electron mobility transistor(HEMT) is introduced in order to develop a new model for describing the input/output characteristics of HEMT device accurately.By analyzing basic structure of HEMT,and taking Pao-sah model for Si MOSFET as reference, the relation between surface potential in HEMT and gate voltage biased was obtained explicitly through Poisson's equation of channel charge and band-voltage relation,as well as the saturation point of channel electro... |
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