| 混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射 |
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| 引用本文： | 俞容文,郑健生,肖梅杰,林之融,颜炳章. 混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射[J]. 厦门大学学报(自然科学版), 1995, 0(6) |
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| 作者姓名： | 俞容文 郑健生 肖梅杰 林之融 颜炳章 |
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| 基金项目： | 国家和福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据．
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| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族混晶半导体，共振喇曼散射 |
Resonant Raman Scattering Induced by Isoclectronic Impurities in GaAs_(1-x)P_x:N Alloys |
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| Yu Rongwen,Zheng Jiansheng,Xiao Meijie,Lin Zhirong,Yan Bingzhang. Resonant Raman Scattering Induced by Isoclectronic Impurities in GaAs_(1-x)P_x:N Alloys[J]. Journal of Xiamen University(Natural Science), 1995, 0(6) |
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| Authors: | Yu Rongwen Zheng Jiansheng Xiao Meijie Lin Zhirong Yan Bingzhang |
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| Affiliation: | Dept.of Phys. |
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