三元层状碳化物Ti3SiC2的研究进展 |
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作者姓名: | 朱教群 梅炳初 等 |
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作者单位: | [1]武汉理工大学测试中心,湖北武汉430070 [2]武汉理工大学材料复合国家重点实验室,湖北武汉430070 |
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摘 要: | 本文综合介绍Ti3SiC2的最新研究进展。三元碳化物Ti3SiC2属于层状六方晶体结构,空间群为P63/mmC;它同时具有金属和陶瓷的优良性能,有良好的导电和导热能力,高弹性模量和低维氏显微硬度,在室温下可切削加工,在高温下能产生塑性变形,良好的高温热稳定性和优秀的抗氧化性能;应用CVD、SHS、HP/HIP等方法可制备该化合物,用HIP方法能制备高纯、致密的Ti2SiC2陶瓷;Ti3SiC2陶瓷材料自身有抵抗损伤的机理。
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关 键 词: | Ti3SiC2 结构 性能 制备 抗损伤机理 三元层状碳化物 碳硅化钛 陶瓷材料 |
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