| 择优取向生长的Gd2O3高K栅介质薄膜 |
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| 引用本文： | 岳守晶,魏峰,王毅,杨志民,屠海令,杜军. 择优取向生长的Gd2O3高K栅介质薄膜[J]. 中国稀土学报, 2008, 26(6) |
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| 作者姓名： | 岳守晶 魏峰 王毅 杨志民 屠海令 杜军 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院先进电子材料研究所,北京,100088 |
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| 基金项目： | 北京有色金属研究总院科研基金 |
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| 摘 要： | 使用射频磁控溅射法在n型Si(001)基片上生长了Gd2O3薄膜。X射线衍射扫描研究和高分辨透射电子显微镜观察表明,薄膜由立方相和单斜相混合构成,且表现出立方(111)晶面和单斜(401)晶面的择优取向生长。XPS分析表明薄膜的元素组成接近化学计量比。电性能测试发现,薄膜拥有合适的介电常数,较小的漏电流密度和较大的击穿场强,厚度为15 nm的薄膜介电常数为23,漏电流密度为3.6×10-5A.cm-2(偏压为 1 V时),击穿场强为3.5 MV.cm-1。
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| 关 键 词： | Gd2O3薄膜 稀土氧化物 高K栅介质 磁控溅射 |
Textured Gd2O3 Thin Films as High-K Gate Dielectrics |
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| Yue Shoujing,Wei Feng,Wang Yi,Yang Zhimin,Tu Hailing,Du Jun. Textured Gd2O3 Thin Films as High-K Gate Dielectrics[J]. Journal of the Chinese Society of Rare Earths, 2008, 26(6) |
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| Authors: | Yue Shoujing Wei Feng Wang Yi Yang Zhimin Tu Hailing Du Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gd2O3 thin film rare earth oxides high-K gate dielectric magnetron sputtering |
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