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| Mg单原子替位掺杂β-Ga2O3的电子结构和光学性质计算研究 | |
| 作者姓名： | 宋庆功 徐霆耀 杨宝宝 郭艳蕊 陈逸飞 |
| 作者单位： | 中国民航大学理学院低维材料与技术研究所,天津,300300 |
| 基金项目： | 中国民航大学中央高校基本科研业务费(3122014K004) |
| 摘 要： | 宽禁带半导体β-Ga2O3因其出色的物理化学性能而备受关注,通过掺杂改善β-Ga2O3性能一直是研究的热点.采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,利用广义梯度近似加U对Mg单原子掺杂β-Ga2O3体系的晶体结构、电子结构和光学性质等进行了研究和分析.总能量和结合能的对比显示:单原子替位掺杂β-Ga2O3时,Mg优先替代八面体位的Ga原子形成Mg-Gao体系.电子结构显示,Mg-Gao体系变为间接半导体,带隙变窄为4.672eV;其自旋极化率为100％,呈现半金属特性.作为光学材料,Mg-Gao体系可在紫外、深紫外区域工作,并且折射率、反射率和吸收率有所降低,透射率明显提高. |
| 关 键 词： | Mg掺杂β-Ga2O3 第一性原理 晶体结构 电子结构 光学性质 |
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