| 退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响 |
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| 引用本文： | 郁操,侯国付,刘芳,孙建,赵颖,耿新华.退火温度和β-FeSi2薄膜厚度对n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池的影响[J].人工晶体学报,2009,38(3):662-665. |
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| 作者姓名： | 郁操 侯国付 刘芳 孙建 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;河北工业大学信息工程学院,天津,300401 |
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| 基金项目： | 天津市应用基础研究计划项目，国家重点基础研究发展计划项目，国家科技计划配套项目 |
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| 摘 要： | 本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜.结果表明,在本实验条件下得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜在室温下是n型导电的,其电学特性存在一个退火温度的最优点:800 ℃.而且在这个最佳温度点上,在Si(111)衬底上外延得到的薄膜载流子迁移率比在Si(100)上高出了一倍多.在上述研究的基础上,采用p-Si(111)单晶片作为外延生长β-FeSi2薄膜的衬底,并通过退火温度和薄膜厚度的优化制备出了国内第一个n-β-FeSi2/p-Si异质结太阳电池,其Jsc=7.90 mA/cm2 ,Voc=0.21 V,FF=0.23,η=0.38;.
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| 关 键 词： | β-FeSi2薄膜 直流磁控溅射 退火温度 异质结太阳电池 |
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