| 硅射频微带电路S参数模拟研究 |
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| 引用本文： | 韩振宇,李树羽中,汪锁发,赵知夷. 硅射频微带电路S参数模拟研究[J]. 电子器件, 2004, 27(2): 241-244 |
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| 作者姓名： | 韩振宇 李树羽中 汪锁发 赵知夷 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划 (973，G2 0 0 2CB31190 6 )资助项目 |
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| 摘 要： | 对不同电阻率硅片射频微带电路S参数进行了模拟研究。建立了 5层结构的微带电路物理结构模型 ,对两种电阻率硅片上不同尺寸 (2× 10 - 5m到 2 0× 10 - 5m)微带线 1～ 10GHz频率范围内的S1 1 和S2 1 参数进行模拟计算。研究结果表明 :减少低电阻率硅片 (3～ 8Ω·cm)线条宽度对减小信号反射和提高传输有益 ;高电阻率硅片 (130～ 15 0Ω·cm)上细线条尺寸微带电路信号反射和提高传输特性也更好。频率越高 ,高阻硅片微带电路的高频性能更好。
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| 关 键 词： | 硅片 微带电路 S参数 反射 传输 |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)02-0241-04 |
A Study on S Parameters of RF Microstrip Circuits on Si |
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| HAN Zhen-yu,LI Shu-chong,WANG Suo-fa,ZHAO Zhi-yi. A Study on S Parameters of RF Microstrip Circuits on Si[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(2): 241-244 |
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| Authors: | HAN Zhen-yu LI Shu-chong WANG Suo-fa ZHAO Zhi-yi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si wafer microstrip circuits S Parameters reflection transmission |
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